该研究为多孔材料和智能除湿材料的设计提供了一条新途径，普通在生物医学材料、先进功能纺织品、工程除湿材料等方面具有广阔的应用前景。

因此，人无有必要发展一种无需金属催化剂和单晶基底的生长半导体纳米线平面阵列的方法。基于所生长硒化铟纳米线，法依进一步制备了光电探测晶体管，法依并展现出优异的光电响应，光响应和比探测率分别达到271A·W-1和1.57x1014Jones，响应时间达到微秒量级。

(c,d)纳米线基场效应晶体管随时间变化的输出和转移特性曲线，靠股可见氩气中退火可部分恢复器件的性能。市发身边(b)纳米线基光电探测器在零栅压下对不同功率的520nm激光响应的输出特性曲线。研究发现其生长机理是硒颗粒自驱动的气-液-固生长模式，大财多人的人这区别于传统的金属催化剂驱动的生长方法。

气-液-固方法利用金属催化剂辅助生长，不认不乏可以有效克服随机取向的问题，被广泛应用于合成半导体纳米线。图文导读图一、普通InSe纳米线的直接生长(a）通过PVD法制备InSe纳米线示意图。

人无优异的光电响应特性表明所生长的硒化铟纳米线有望应用于未来的高性能光电探测。

法依(d)随激发光功率变化的光响应和比探测率的关系图。2005-2007年在加州大学圣芭芭拉分校从事博士后研究，靠股2007年回到厦门大学任特聘教授，靠股2009年获得国家杰出青年科学基金资助，同年受聘为教育部长江学者特聘教授，2016年6月获中国优秀青年科技人才奖。

研究方向包括：市发身边(1)纳米材料的合成、组装和表征。大财多人的人2015年获中国科学院杰出成就奖。

在过去五年中，不认不乏包信和团队在Nature和Science上共发表了两篇文章。令人比较诧异的是上海科技大学，普通发文数量也达到6篇。