1、中兴年满19周岁，持有身份证者，且学习美容相关课程，经本职业初级正规培训达规定标准学时数，并取得结业证书。

(f)MAI通过spiro薄膜迁移至银电极，系统形成碘化银。设备文献链接:Imperfectionsandtheirpassivationinhalideperovskitesolarcells（Che.Soc.Rev.2019,DOI:10.1039/c8cs00853a）本文由噜噜编辑审核。

国路(b)0偏压下为保持中性。【展望】为进一步提高钙钛矿器件的光电转换效率和稳定性，漫漫采取有效的缺陷钝化策略以实现非辐射复合和离子迁移的抑制尤为关键。钙钛矿薄膜中非辐射复合的主要来源包括固有的点缺陷、前路杂质（如来自spiro层的Li+等）、前路二维扩展缺陷（晶界、表面缺陷）以及三维缺陷，其中大部分点缺陷主要引起浅能级束缚，对非辐射复合有着很小的贡献，然而这些点缺陷在电场作用下可迁移至界面，进而影响器件的性能。

放弃图五两性离子钝化(a)胆碱两性离子钝化示意图。中兴(c)钙钛矿薄膜在TOPO（三辛基氧膦）处理前后的PL光谱以及广义普朗克模型拟合。

系统图十二缺陷钝化提高器件稳定性(a)双侧引入烷基胺引起缺陷钝化并阻挡水分子入侵。

设备(c)基于烷基胺处理的未封装钙钛矿电池稳定性测试。这样的膜设计大大促进了跨膜离子的扩散，国路有助于实现5.06Wm-2的高功率密度，这是基于纳米流体膜的渗透能转换的最高值。

漫漫干净的石墨烯薄膜是用于包括透明电极和外延层在内的应用的有前途的材料。由于聚（芳基醚砜）的高分子量，前路该膜表现出良好的物理性能。

此外，放弃在纯净和掺杂的PtD-y晶体中观察到了与EnT过程耦合的显着PL各向异性。O活性位点的活性不仅可以通过用其他TM原子代替最接近的原子（Ti）来调节，中兴而且可以通过在其第二最接近的位点产生O空位来调节。